山特UPS电源C2KR价格

近年来能源和环境保护问题已经引起人们的高度重视，能源和环境也成为了大众话题，深圳山特减少产生谐波污染和提高机器整机效率不仅为保护环境和节省能源作出了贡献，还将为用户节省大量的电费，提高了经济效益，这也就进一步说明深圳山特UPS电源“绿色、低碳”是时代所求。
通过对山特UPS电源在使用过程中因零地电压过高对负载产生的危害事故案例分析,着重指出必须重视山特UPS电源官网零地电压和接地问题。阐述了山特UPS电源售后零地电压过高产生的原因及改进措施,提出深圳山特UPS电源供电系统要有单独的接地线,接地电阻要小于4Ω,零地电压要小于2V,这样才能保证负载正常运行。
 
　　零地电压是山特UPS电源输出电压的重要技术指标,直接影响负载的稳定运行。正确处理山特UPS电源官网输出的零地电压,能有效**设备的稳定运行,提高负载工作的可靠性。
　　
　　1接地的基本概念
　　
　　将电气设备或用电保护装置的外壳用导线(又称接地线)与接地体连接简称“接地”。直接与大地接触的金属导体或金属导体组称为“接地体”。接地线和接地体总称为“接地装置”。
　　
　　(1)对地电压
　　
　　电气设备的接地部分(如接地外壳、接地线和接地体等)与大地零电位点(在距接地体或接地处10m以外的地方)之间的电位差称为接地时的“对地电压”。
　　
　　(2)接地电阻
　　
　　接地体对地电阻和接地线电阻的总和称为接地装置的“接地电阻”。
　　
　　(3)接地体作用
　　
　　接地目的是为了安全,防止电气设备损坏和保证人身安全,保证电气设备的正常运行。为了保证人身安全,所有电气设备都应安装接地装置。若该电气设备一旦因绝缘损坏或感应带电,则电流可以经过接地线和接地体流入大地,不产生危险电压以保证人身安全。
　　
　　(4)接地装置的安装
　　
　　接地装置包括接地体和接地线两部分。
　　
　　①接地体
　　
　　接地体可尽量利用自然接地体,如敷设在地下的各种金属管道,一般自然接地体不能满足接地电阻要求时,可采用人工接地体。人工接地体可采用下述方法:在地表挖长5m,深3m的沟槽,底部平铺一层粗砂,砂层上放入煤渣层,放入由钢管、角钢或铜管做成的铜排,角钢接地体一般为40mm×40mm×4mm或50mm×50mm×5mm,长2.5m以上,导电排与接地线要用铆接或焊接方式连接,然后在铺上煤渣层,均匀地撒上工业用盐,较后在平铺砂层填土压实,这样才能满足接地电阻小于4Ω的要求。禁止在地下用裸铝导体作为接地体,但可用钢管或粗铜线作接地体。
　　
　　②接地线
　　
　　接地线主要采用扁钢(截面积应大于48mm2)焊接,也可采用扁铜线。
　　
　　③接地电阻值的测量
　　
　　可以采用接地电阻测试仪,对接地装置的接地电阻进行测量,接地电阻测试仪属摇表类型。
　　
　　2零线的概念
　　
　　发电机和变压器的三相低压绕组采用Y型联接,连接后的中点引出的导线称中线,在三相四线制供电线路中的中线通常在变压器输出点直接接地,接了地的中线称零线,在380/220V供电线路中,相线与零线之间的电压为220V,理论上零地电压为0V。
　　
　　3产生零地电压过高的原因
　　
　　由于三相电流不平衡,在用户端、零地之间肯定存在零地电压。但只要把零地电压控制在2V以下,就不会对系统或者设备造成危害。产生零地电压过高的原因有以下几点:
　　
　　(1)三相电源负载不平衡;
　　
　　(2)接地电阻过大;
　　
　　(3)零线和地线的线径太细或断路;
　　
　　(4)高频谐波或电磁场*引起电位升高;
　　
　　(5)使用山特UPS电源、电子稳压器等电子供电设备;
　　
　　(6)用的插线板不符合电器标准。
　　
　　其中**项是造成零地电压偏高的主要原因,*(5)、(6)两项是用户设备的问题,只要合理选择山特UPS电源,正确选型和配线,就不会因设备问题造成山特UPS电源输出零地电压过高。
　　
　　4零地电压对负载的影响
　　
　　零地电压对负载的影响,主要表现在三个方面:
　　
　　(1)引起硬件故障
　　
　　一般要求山特UPS电源售后输出零地电压值不**过2V。零地电压过高可能引发控制信号的误动作,造成设备的误启动和误关机。还可能造成误码率上升,丢包率增加,造成通信缓慢,传输速率下降,影响通信质量,延误或阻止通信的正常进行。
　　
　　(2)烧毁设备
　　
　　对于计算机设备而言,零地电压过高会导致服务器速度下降、网络交换速度降低、服务器无故关机,甚至造成硬件损坏。
　　
　　(3)引发控制信号的误动作
　　
　　有时,服务器在零地电压**某一值(比如2V)时无法启动。因此用户在安装设备时,厂家的硬件安装工程师在现场就会对安装环境的零地电压进行测量,一般情况下要求小于2V,大于此数值则不予加电开机。
　　
　　(4)影响通信质量
　　
　　零地电压有时会直接导致硬件损坏。因此,高频设备供电不仅要采用在线式深圳山特UPS电源,还必须配备良好的接地系统,以保证零地电压**2V。
　　
　　5零地电压过高的改进
　　
　　因为零地电压是影响深圳山特后续设备运行可靠性的重要因素,为此可从以下几方面加以控制:
　　
　　(1)保证三相电力负载尽可能均衡。如果三相用电不平衡,零线上的电流就会加大,零线N两端的电压差就会直接造成零地电压过高。因此,要尽量配平三相负载,定期根据负载的使用变化进行必要的调整。此外,还可以通过增加零线截面积,从而有效降低零地电压。
　　
　　(2)建立独立、良好的接地系统,尽量降低接地电阻,接地电阻不能**过4Ω。接地线和接地体要符合电力设施规范,较好请人员做接地线且用仪器测量,务必使接地电阻符合要求。
　　
　　(3)山特UPS电源输入端零线不能装开关,任何时间不能让零线断路,特别是对山特UPS电源官网做蓄电池放电维护时,可断开火线但不能断开零线,否则会使山特UPS电源售后输入的零线悬空造成输出零地电压升高。
　　
　　(4)选用零地电压值较小的山特UPS电源。在选购深圳山特UPS电源时,需要考虑零地电压的控制问题。有些类型的山特UPS电源经过特殊的设计,甚至可以使输出的零地电压小于1V。
　　
　　(5)山特UPS电源输出端加装隔离变压器。当山特UPS电源输入的零地电压不高,而输出零地电压过高时,可以采用在山特UPS电源输出端加装隔离变压器的办法来隔离输入和输出之间的电气连接,同时在隔离变压器输出的零线端直接做接地处理。

1 硅系太阳能电池

1.1 单晶硅太阳能电池 硅系列太阳能电池中，单晶硅大阳能电池转换效率高，技术也为成熟。高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关的成热的加工处理工艺基础上的。现在单晶硅的电地工艺己近成熟，在电池制作中，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率主要是*单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。在此方面，德国夫朗霍费费莱堡太阳能系统研究所保持着水平。该研究所采用光刻照相技术将电池表面织构化，制成倒金字塔结构。并在表面把一13nm。厚的氧化物钝化层与两层减反射涂层相结合.通过改进了的电镀过程增加栅极的宽度和高度的比率：通过以上制得的电池转化效率超过23%，是大值可达23.3%。Kyocera公司制备的大面积(225cm2)单电晶太阳能电池转换效率为19.44%，国内北京太阳能研究所也积极进行高效晶体硅太阳能电池的研究和开发，研制的平面高效单晶硅电池(2cm X 2cm)转换效率达到19.79%，刻槽埋栅电极晶体硅电池(5cm X 5cm)转换效率达8.6%。 单晶硅太阳能电池转换效率无疑是高的，在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位，但由于受单晶硅材料价格及相应的繁琐的电池工艺影响，致使单晶硅成本价格居高不下，要想大幅度降低其成本是非常困难的。为了节省高质量材料，寻找单晶硅电池的替代产品，现在发展了薄膜太阳能电池，其中多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池就是典型代表。

1.2 多晶硅薄膜太阳能电池 通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350～450μm的高质量硅片上制成的，这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。因此实际消耗的硅材料更多。为了节省材料，人们从70年代中期就开始在廉价衬底上沉积多晶硅薄膜，但由于生长的硅膜晶粒大小，未能制成有价值的太阳能电池。为了获得大尺寸晶粒的薄膜，人们一直没有停止过研究，并提出了很多方法。目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺。此外，液相外延法(LPPE)和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。 化学气相沉积主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4，为反应气体，在一定的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上，衬底材料一般选用Si、SiO2、Si3N4等。但研究发现，在非硅衬底上很难形成较大的晶粒，并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是先用 LPCVD在衬底上沉炽一层较薄的非晶硅层，再将这层非晶硅层退火，得到较大的晶粒，然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜，因此，再结晶技术无疑是很重要的一个环节，目前采用的技术主要有固相结晶法和中区熔再结晶法。多晶硅薄膜电池除采用了再结晶工艺外，另外采用了几乎所有制备单晶硅太阳能电池的技术，这样制得的太阳能电池转换效率明显提高。德国费莱堡太阳能研究所采用区馆再结晶技术在FZ Si衬底上制得的多晶硅电池转换效率为19%，日本三菱公司用该法制备电池，效率达16.42%。 液相外延(LPE)法的原理是通过将硅熔融在母体里，降低温度析出硅膜。美国Astropower公司采用LPE制备的电池效率达12.2%。中国光电发展技术中心的陈哲良采用液相外延法在冶金级硅片上生长出硅晶粒，并设计了一种类似于晶体硅薄膜太阳能电池的新型太阳能电池，称之为“硅粒”太阳能电池，但有关性能方面的报道还未见到。 多晶硅薄膜电池由于所使用的硅远较单晶硅少，又无效率衰退问题，并且有可能在廉价衬底材料上制备，其成本远低于单晶硅电池，而效率高于非晶硅薄膜电池，因此，多晶硅薄膜电池不久将会在太阳能电地市场上占据主导地位。

1.3 非晶硅薄膜太阳能电池 开发太阳能电池的两个关键问题就是：提高转换效率和 降低成本。由于非晶硅薄膜太阳能电池的成本低，便于大规模生产，普遍受到人们的重视并得到迅速发展，其实早在70年代初，Carlson等就已经开始了对非晶硅电池的研制工作，近几年它的研制工作得到了迅速发展，目前世界上己有许多家公司在生产该种电池产品。 非晶硅作为太阳能材料尽管是一种很好的电池材料，但由于其光学带隙为1.7eV， 使得材料本身对太阳辐射光谱的长波区域不敏感，这样一来就限制了非晶硅太阳能电池的转换效率。此外，其光电效率会随着光照时间的延续而衰减，即所谓的光致衰退S一W效应，使得电池性能不稳定。解决这些问题的这径就是制备叠层太阳能电池，叠层太阳能电池是由在制备的p、i、n层单结太阳能电池上再沉积一个或多个P-i-n子电池制得的。叠层太阳能电池提高转换效率、解决单结电池不稳定性的关键问题在于：①它把不同禁带宽度的材科组台在一起，提高了光谱的响应范围;②顶电池的i层较薄，光照产生的电场强度变化不大，保证i层中的光生载流子抽出;③底电池产生的载流子约为单电池的一半，光致衰退效应减小;④叠层太阳能电池各子电池是串联在一起的。 非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法有很多，其中包括反应溅射法、PECVD法、LPCVD法等，反应原料气体为H2稀释的SiH4，衬底主要为玻璃及不锈钢片，制成的非晶硅薄膜经过不同的电池工艺过程可分别制得单结电池和叠层太阳能电池。目前非晶硅太阳能电池的研究取得两大进展：、三叠层结构非晶硅太阳能电池转换效率达到13%，创下新的记录;第二。三叠层太阳能电池年生产能力达5MW。美国联合太阳能公司(VSSC)制得的单结太阳能电池高转换效率为9.3%，三带隙三叠层电池高转换效率为13%，见表1 上述高转换效率是在小面积(0.25cm2)电池上取得的。曾有文献报道单结非晶硅太阳能电池转换效率超过12.5%，日本中央研究院采用一系列新措施，制得的非晶硅电池的转换效率为13.2%。国内关于非晶硅薄膜电池特别是叠层太阳能电池的研究并不多，南开大学的耿新华等采用工业用材料，以铝背电极制备出面积为20X20cm2、转换效率为8.28%的a-Si/a-Si叠层太阳能电池。 非晶硅太阳能电池由于具有较高的转换效率和较低的成本及重量轻等特点，有着极大的潜力。但同时由于它的稳定性不高，直接影响了它的实际应用。如果能进一步解决稳定性问题及提高转换率问题，那么，非晶硅大阳能电池无疑是太阳能电池的主要发展产品之一。